25AA640A-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录25LC640AT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TDFN-8 封装。M95160-DRMF3TG/K
STMicroelectronics · 封装：MLP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MLP-8 封装。25LC320AT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。CAT25020YI-G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR24G08FJ-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括型号别名 BR24G08FJ-3A、单件重量 0.030018 oz，采用 SOP-J-8 封装。BR24G04FVT-3AGE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。25LC160B-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。25LC160D-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。CAT25040YI-G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。M95640-DFMC6TG
STMicroelectronics · 封装：UFDFPN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UFDFPN-8 封装。BR24T08FV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。BR24T02NUX-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 VSON008X2030-8 封装。BR24T32NUX-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 VSON008X2030-8 封装。25LC080C-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。25AA320A-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。24AA128T-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。25LC080B-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。25LC080D-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。BR24G64F-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。