BU9891GUL-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：VCSP50L1-6
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 VCSP50L1-6 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录CAT25160HU4I-GT3
ON Semiconductor · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UDFN-8 封装。24FC128-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。25AA160/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。24AA256/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIJ-8 封装。M95160-DRMN3TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SO-8 封装。M95256-DFDW6TP
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。CAT25160YI-G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR24S16FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、存储组织结构 2 k x 8、电源电流（最大值） 2 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-J-8 封装。24LC128-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。25LC640-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。M24128-DRMF3TG/K
STMicroelectronics · 封装：MLP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MLP-8 封装。BR93L66RF-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOP-8 封装。M95640-DRMF3TG/K
STMicroelectronics · 封装：MLP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MLP-8 封装。AT88SC0808CA-PU
Microchip Technology / Atmel · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。25C320-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。CAT93C86BHU4I-GT3
ON Semiconductor · 封装：UDFN-8
采用 UDFN-8 封装。BR93C46-WMN7TP
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire。25LC320A-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。24LC128-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。