BR24G64FJ-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录25LC320A-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。BR24T04FVJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B8J-8 封装。BR24G02F-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。BR24T32FV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。CAT24C08C4CTR
ON Semiconductor · 封装：WLCSP-4
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 WLCSP-4 封装。BR24T08FVJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B8J-8 封装。25LC160A-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。25AA320T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25LC160C-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。25LC160D-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。CAV24C08WE-GT3
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 1 k x 8，采用 SOIC-8 封装。CAT24AA08TDI-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSOT-23-5 封装。25AA320-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。93C66-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。BR24T01FVJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B8J-8 封装。AT88SC0808CA-TH
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。BR24G128FV-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SSOP-B-8 封装。25LC160DT-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。AT88SC0204CA-PU
Microchip Technology / Atmel · 封装：DIP-8
主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。