W9816G6JH-6I
Winbond · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录RM3315-XSNI-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最大值） 1.98 V、电源电压（最小值） 1.17 V、类型 CBRAM、数据总线宽度 32 位，采用 SOIC-8 封装。RM3314-XSNI-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.98 V、电源电压（最小值） 1.17 V、类型 CBRAM、数据总线宽度 32 位，采用 SOIC-8 封装。RM3313-XSNI-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 1.98 V、电源电压（最小值） 1.17 V、类型 CBRAM、数据总线宽度 32 位，采用 SOIC-8 封装。W9812G6KH-5
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS43LR16320C-6BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - DDR，采用 BGA-60 封装。MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。IS42S16800F-7BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。AS4C8M16SA-7TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS42VM32800K-75BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-90 封装。MT48LC16M16A2P-6A AAT:G TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。IS42S16800F-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS43R16160D-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。MT48LC16M16A2P-6A AIT:G TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS4C16M16MD1-6BCNTR
Alliance Memory · 封装：FPBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FPBGA-60 封装。MT47H32M16NF-25E AIT:H TR
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IS42S16400J-7BL-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS43DR16160B-37CBLI
ISSI · 封装：WBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 266 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 WBGA-84 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。