AT21CS01-SSHM12-T
Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8
采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8
采用 SOIC-8 封装。ROHM Semiconductor · 封装:TSSOP-B-8
主要参数包括型号别名 BR24S64FVT-W、单件重量 0.006737 oz,采用 TSSOP-B-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIJ-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 位、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOT-23-5 封装。Microchip Technology · 封装:SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 位、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOT-23-5 封装。STMicroelectronics · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。STMicroelectronics · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:TSSOP-8
主要参数包括单件重量 0.005573 oz,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8
主要参数包括单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。STMicroelectronics · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 SOIC-8 封装。STMicroelectronics · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。STMicroelectronics · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 SOIJ-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 TDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。