M95640-DWDW4TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录25LC128T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。AT88SC018-SU-CM-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT21CS01-SSHM15-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
采用 SOIC-8 封装。24LC02BT-E/LT
Microchip Technology · 封装：SC-70-5
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SC-70-5 封装。M95M01-DWDW4TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。25LC512-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIJ-8 封装。BR25S128FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括型号别名 BR25S128FVT-W、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-B-8 封装。24LC128T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 128 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 16 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-8 封装。AT88SC0204CA-TH-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。25LC040AT-H/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。AT24CS16-MAHM-E
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
采用 UDFN-8 封装。11AA02UIDT-I/TT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 SOT-23-3 封装。AT25160B-MAHL-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UDFN-8 封装。BR25S128GUZ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：VCSP35L2-12
主要参数包括型号别名 BR25S128GUZ-W，采用 VCSP35L2-12 封装。25LC512-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-S-8 封装。BR24S64FVM-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括型号别名 BR24S64FVM-W，采用 MSOP-8 封装。BR25S128FV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-8
主要参数包括型号别名 BR25S128FV-W，采用 SSOP-8 封装。BR93L86RFVJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-B8J-8 封装。25AA256T-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。