IS43R16800E-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS4C4M16SA-5TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS42S81600F-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS42S16400J-7BL
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS42S16400J-5BL
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS42S32200L-7TL
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-86 封装。IS45S16160G-7CTLA2
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS42S32160F-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IS43DR16640B-25DBLI
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43DR16640B-3DBLI
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS42S32800J-75ETLI
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IS45S16400J-7CTLA2
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。W971GG6SB25I
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 64 M x 16，采用 WBGA-84 封装。AS4C4M16SA-6BIN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。AS4C16M16SA-6TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS42S32200L-6TL
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-86 封装。W9751G6KB25I
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16，采用 WBGA-84 封装。IS42S16400J-6BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。W9825G6KH-6I
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。W9864G6KH-6
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。