25LC1024T-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIJ-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录25AA1024-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIJ-8 封装。25LC1024-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIJ-8 封装。25AA1024T-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIJ-8 封装。24LC1025-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。24LC1025-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIJ-8 封装。24FC1025T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 128 k x 8、数据保持时间 200 Year、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。24AA024HT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。M24256-DRMN8TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SO-8 封装。M24512-DFDW6TP
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括存储容量 512 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 64 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。93LC56BT-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。24FC128T-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。25LC1024T-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。BR9016AF-WE2
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire。BR25S128FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括型号别名 BR25S128FJ-W，采用 SOP-J-8 封装。AT88SC3216C-SU
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。AT88SC0204CA-Y6H-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：Mini-MAP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 Mini-MAP-8 封装。25LC640AT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。AT21CS01-STUM17-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOT-23-3
采用 SOT-23-3 封装。24LC512T-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。