BU9844GUL-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：VCSP50L1-6
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、存储组织结构 2 k x 8，采用 VCSP50L1-6 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录BR24S32NUX-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括型号别名 BR24S32NUX-W，采用 VSON008X2030-8 封装。DS28E05GB+T
Maxim Integrated
EEPROM 1-Wire 112-BYTE EEPROM, 3.5X5 SFN T&RBU9880GUL-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：VCSP50L1-6
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、数据保持时间 40 Year，采用 VCSP50L1-6 封装。BR24G512FVT-3AGE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。CAV25640VE-GT3
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。CAV25640YE-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。M95512-DFMC6TG
STMicroelectronics · 封装：UFDFPN-8
主要参数包括最大时钟频率 16 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 64 k x 8，采用 UFDFPN-8 封装。CAT25128VP2I-GT3
ON Semiconductor · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TDFN-8 封装。M95640-DRMN3TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SO-8 封装。CAV24C128YE-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。M95512-DRMN8TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 16 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SO-8 封装。DS28E07+
Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括高度 4.95 mm、长度 4.95 mm、宽度 3.94 mm，采用 TO-92-3 封装。CAV25160YE-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR24T256FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。AT88SC0808C-MPTG
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BU9833GUL-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：VCSP50L1-6
主要参数包括型号别名 BU9833GUL-W，采用 VCSP50L1-6 封装。CAT25640HU4I-GT3
ON Semiconductor · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UDFN-8 封装。25LC128T-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。AT88SC018-SU-CN
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。