DS28EC20+
Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 20 kbit、工作电源电压 4.75～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 80、数据保持时间 40 Year、电源电流（最大值） 0.9 mA，采用 TO-92-3 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS28EC20P+T
Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括型号别名 90-F431V+000 DS28EC20P、单件重量 0.001799 oz，采用 TSOC-6 封装。DS24B33+
Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TO-92-3 封装。M95M02-DRMN6TP
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括存储容量 2 Mbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 256 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.017870 oz，采用 SO-8 封装。DS2431+
Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 4，采用 TO-92-3 封装。24LC32AT-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。AT28LV010-20TU
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 TSOP-32 封装。AT88SC12816C-SU
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。DS28E25+
Maxim Integrated · 封装：TO-92-2
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 4 k x 1，采用 TO-92-2 封装。M95M01-DFMN6TP
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 1 M x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.017870 oz，采用 SO-8 封装。CAV25256VE-GT3
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。24LC65/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIJ-8 封装。BR24S128FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。BR25L320FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOP-J-8 封装。DS2431G+T&R
Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 4，采用 SFN-2 封装。BR35H640FJ-WCE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。CAV25128VE-GT3
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25LC256-M/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括单件重量 0.002713 oz，采用 DFN-S-8 封装。AT28HC256-70TU
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSOP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 TSOP-28 封装。24AA025E48T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。