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STMicroelectronics · 封装:MLP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 MLP-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
STMicroelectronics · 封装:MLP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 MLP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOT-23-6
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOT-23-6 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 TDFN-8 封装。STMicroelectronics · 封装:WLCSP-5
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 WLCSP-5 封装。STMicroelectronics · 封装:SO-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SO-8 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 TDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:PDIP-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 16 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.032805 oz,采用 PDIP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOT-23-6
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOT-23-6 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOT-23-6
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 SOT-23-6 封装。STMicroelectronics · 封装:SO-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SO-8 封装。ON Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI,采用 TSSOP-8 封装。ON Semiconductor · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 1 k x 8、数据保持时间 100 Year,采用 UDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。