24FC256T-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIJ-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录CAT24C32C5CTR
ON Semiconductor · 封装：WLCSP-5
采用 WLCSP-5 封装。24FC256T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。25C080T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25LC080T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。M95160-DFMC6TG
STMicroelectronics · 封装：UFDFPN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UFDFPN-8 封装。M24512-DFMN6TP
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括存储容量 512 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 64 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.017870 oz，采用 SO-8 封装。25LC640T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。AT88SC1616C-SH-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。M95256-RDW6TP
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。M95128-RMC6TG
STMicroelectronics · 封装：UFDFPN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UFDFPN-8 封装。M95128-DRMN8TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SO-8 封装。M95128-DRDW8TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 TSSOP-8 封装。CAT24AA16TDI-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V , 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSOT-23-5 封装。AT88SC0808CA-SH-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。25AA640AT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TDFN-8 封装。M24128-DRDW8TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。25LC040-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。24LC64FT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。24LC64T-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。