M24C32T-FCU6T/TF
STMicroelectronics · 封装：WLCSP-4
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 WLCSP-4 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录AT21CS01-SSHM10-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
采用 SOIC-8 封装。BR25A256F-3MGE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOP-8 封装。BR24T256-WZ
ROHM Semiconductor · 封装：DIP-8K
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 DIP-8K 封装。BR93A56RFVM-WMTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire，采用 MSOP-8 封装。AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。BR24T64-WZ
ROHM Semiconductor · 封装：DIP-8K
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 DIP-8K 封装。BR24T128-WZ
ROHM Semiconductor · 封装：DIP-8K
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 DIP-8K 封装。AT28C256-15SU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。CAS24S128C4ATR
ON Semiconductor · 封装：WLCSP-4
主要参数包括单件重量 0.000015 oz，采用 WLCSP-4 封装。AT21CS01-SSHM17-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
采用 SOIC-8 封装。AT28C64B-15JU-235
Microchip Technology / Atmel · 封装：PLCC-32
主要参数包括湿敏性 是，采用 PLCC-32 封装。AT28HC64BF-12SU-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-28 封装。AT21CS01-SSHM13-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
采用 SOIC-8 封装。AT28HC256-12JU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AT28HC256-70SU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。AT28HC256-70JU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AT28HC256-90JU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AT21CS01-STUM12-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOT-23-3
采用 SOT-23-3 封装。AT21CS01-SSHM16-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。