APS6408L-OBMX-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS24B33G+U
Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 SFN-2 封装。AT24C04D-MAHM-E
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24C01D-MAHM-E
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24C512C-SHM-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Wide-8 封装。AT24C02D-MAHM-E
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24C256C-MAHL-E
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT24CM02-SSHM-B
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。AT25M02-SSHD-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial，采用 SOIC-8 封装。AT28C256E-25DM/883-815
Microchip Technology / Atmel · 封装：DIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 5 V、存储组织结构 32 k x 8、访问时间 150 ns、数据保持时间 10 Year、最小工作温度 - 55 C，采用 DIP-28 封装。AT24CM02-SSHM-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。24CW1280T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kB、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOT-23-5 封装。AT28C256-25DM/883-815
Microchip Technology / Atmel · 封装：DIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 5 V、存储组织结构 32 k x 8、访问时间 150 ns、数据保持时间 10 Year、最小工作温度 - 55 C，采用 DIP-28 封装。AT24CM02-SSHD-B
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT24CM02-SSHD-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Narrow-8 封装。AT28C256E-20DM/883-815
Microchip Technology / Atmel · 封装：DIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 5 V、存储组织结构 32 k x 8、访问时间 150 ns、数据保持时间 10 Year、最小工作温度 - 55 C，采用 DIP-28 封装。AT25M02-SSHM-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial，采用 SOIC-8 封装。AT28C256-15DM/883-815
Microchip Technology / Atmel · 封装：DIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 5 V、存储组织结构 32 k x 8、访问时间 150 ns、数据保持时间 10 Year、最小工作温度 - 55 C，采用 DIP-28 封装。AT28C256E-15DM/883-815
Microchip Technology / Atmel · 封装：DIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 5 V、存储组织结构 32 k x 8、访问时间 150 ns、数据保持时间 10 Year、最小工作温度 - 55 C，采用 DIP-28 封装。AT28C256F-15DM/883-815
Microchip Technology / Atmel · 封装：DIP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 5 V、存储组织结构 32 k x 8、访问时间 150 ns、数据保持时间 10 Year、最小工作温度 - 55 C，采用 DIP-28 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。