IS42S32800L-6TL
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42S32800L-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS42S32800L-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS42S32800L-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS42S32800L-7BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS43LD32128B-25BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-134 封装。IS43LR32640B-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-90 封装。IS43TR16640CL-107MBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43QR16256B-075UBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43QR16256B-075UBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43QR16256B-075UBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43QR16256B-075UBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640C-125JBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640C-125JBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640C-125JBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640CL-107MBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E1G32D2FW-046 WT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。APS6408L-OBM-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS6408L-OBM-WH
AP Memory · 封装：WLCSP-13
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 WLCSP-13 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。