AS4C128M32MD4A-062BINTR
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录AS4C128M32MD4VA-062BIN
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国。AS4C128M32MD4VA-062BINTR
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国。MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E2G32D4DE-046 WT:C
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E1G32D2FW-046 IT:C
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT62F512M32D1DS-023 AIT:E
Micron · 封装：TFBGA-315
主要参数包括最大时钟频率 4.266 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.01 V、电源电压（最大值） 1.12 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR5、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-315 封装。MT53E1G32D2FW-046 AAT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT40A256M16LY-075:F
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C256M16D4A-75BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C256M16D4A-62BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C256M16D4A-62BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS45S16800J-7BLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-54 封装。IS46LD16128C-18BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gb、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 4 位，采用 BGA-134 封装。IS42S32400J-7BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS43LD32128B-25BPL
ISSI
主要参数包括晶圆制造国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS42S32400J-7BL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS42S32400J-7BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。