AS4C256M16D3C-10BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS4C256M16D3C-10BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C256M16D3C-10BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C256M16D3C-10BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C256M16D4A-75BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C256M16MD4-062BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。AS4C256M16MD4V-062BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。AS4C32M16MSB-6BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。AS4C512M16D4A-62BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D4B-62BCN
Alliance Memory
主要参数包括组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 中国、湿敏性 是。AS4C512M16D4B-62BCNTR
Alliance Memory
主要参数包括组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 马来西亚。AS4C512M16MD4V-053BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.866 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。AS4C512M32MD4V-046BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。APS6408L-OCH-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。A3T1GF40CBF-GML TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T2GF40CBF-JRI
Zentel Japan · 封装：FPGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。A3T2GF40CBF-JRI TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T4GF30BBF-JRL
Zentel Japan · 封装：FPGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FPGA-78 封装。A3T4GF30BBF-JRL TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS45S16800J-7TLA1
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。