MT60B1G16HD-64B AAT:D
Micron · 封装：VFBGA-102
主要参数包括最大时钟频率 3.2 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM - DDR5、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-102 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录MT40A512M16TB-062E:R TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT40A1G8AG-062E AUT:R
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT53E256M32D1KS-046 AIT:L
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-200 封装。MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT42L32M32D1HE-18 IT:D
Micron · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。MT40A2G8JC-062E IT:E
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。MT40A1G8SA-062E IT:R
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C256M16D4A-75BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M8D4A-75BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D4A-75BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D4A-75BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D4A-75BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C256M16D4A-62BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C256M16D4A-62BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。A3V28S40JTP-60I
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。A3V56S40GTP-60I
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。A3V64S40GTP-60I
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。AS4C256M16D4A-75BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.333 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C1G8D4B-62BCNTR
Alliance Memory
主要参数包括组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 马来西亚。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。