IS46LQ16256BL-062BLA2
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS46LQ16256BL-062BLA1-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国。AS4C16M16MD1A-6BIN
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。AS4C16M16MD1A-6BINTR
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。AS4C16M32MD1B-5BIN
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。AS4C16M32MD1B-5BINTR
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。SQR-RD4N32G2K9HRE
Advantech
DRAM 288pin RDIMM D4 2933 32GB, Hynix 2GX4W956D8MBYA5I TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。W631GU6RB09I
Winbond
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3V56S30GTP-60
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。A3V28S40JTP-60
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。A3V56S40GTP-60
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。A3V64S40GTP-60
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。A3S56D40GTP-50
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 2.7 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-66 封装。MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括存储容量 32 Gbit、存储组织结构 1 G x 32、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 TFBGA-200 封装。MT41K512M16VRP-107 IT:P
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT62F1G64D8EK-031 AAT:B
Micron · 封装：TFBGA-441
主要参数包括最大时钟频率 3.2 GHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 1.01 V、电源电压（最大值） 1.12 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR5、数据总线宽度 64 位，采用 TFBGA-441 封装。MT41K512M16VRP-107 AIT:P
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT52L256M32D1PF-107 WT:B
Micron · 封装：FBGA-178
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-178 封装。MT40A512M16TD-062E AIT:R
Micron · 封装：TFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。