IS42S32400J-6TL-TR
ISSI · 封装:TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TSOP-II-86 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ISSI · 封装:TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TSOP-II-86 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TSOP-II-86 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-54 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 BGA-54 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 TSOP-II-54 封装。ISSI · 封装:BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-54 封装。ISSI · 封装:BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-54 封装。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国。ISSI · 封装:BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.06 V、电源电压(最大值) 1.17 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位,采用 BGA-200 封装。ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。