IS43LR16640C-6BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43LR16640C-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。IS43LR32320C-5BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-90 封装。IS49RL18640-093EBL
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS46QR16256B-083RBLA2-TR
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS49NLC18320A-25EWBL
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS49NLC18320A-18WBLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS49NLC18160A-25WBLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS49NLC18160A-25WBL
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS49NLC18160A-25EWBLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS49NLC18160A-25EWBL
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS46TR16128C-125KBLA25
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS46QR81024A-075VBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS42S32400J-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS42S16160L-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 BGA-54 封装。IS42S32200N-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS42S32200N-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS42S32200N-7BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS42S32200N-7BL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS42S32200N-7BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。