S70KL1283GABHB023
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S70KL1283GABHI023
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。S70KL1283GABHV020
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是。IS43LD32128B-25BPL-TR
ISSI
主要参数包括湿敏性 是。IS43LQ32128AL-062BLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS43LD32128B-25BPLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-168 封装。IS43LD32128B-25BPLI-TR
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-168 封装。IS43LD32320D-18BLI-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS43LQ16256A-062TBLI
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16256A-062TBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.17 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16256AL-062BLI
ISSI · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。IS43LQ16256AL-062BLI-TR
ISSI · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。IS43LQ16256AL-062TBLI
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、电源电压（最小值） 570 mV、电源电压（最大值） 650 mV、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-200 封装。IS43LQ32640A-062TBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是，采用 BGA-200 封装。IS43LR32320C-5BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-90 封装。IS43LQ32640AL-062BLI
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾，采用 BGA-200 封装。IS43LQ32640AL-062BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾，采用 BGA-200 封装。IS43LQ32640AL-062TBLI
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是，采用 BGA-200 封装。IS43LQ32640AL-062TBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是，采用 BGA-200 封装。IS43LR16640C-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。