IS43QR8K02S2A-083TBLI-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS4C256M32MD4V-062BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。AS4C32M16MSB-6BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。AS4C256M8D3LC-12BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C256M8D3LC-12BANTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C256M8D3LC-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C256M8D3LC-12BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A1G16TD-062E:F
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。NRE-TI-RDL- APS6404L-SQHXRQ
AP Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IME5108SDBETG-75I
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IME1G16D3EEBG-15EI
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IME2532SDBETG-6I
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IME4G32L4HABG-062I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.17 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。IME5108SDBETG-75
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IME5116SDBETG-75
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。IME5116SDBETG-75I
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。IME5132SDBETG-6I
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IME8G32L4HADG-062I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.17 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。D5116AN9CXGXNI-U
Kingston · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。D5116AN9CXGXN-UF
Kingston · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gb、电源电压（最小值） 1.14、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 3.2 Gb/s、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。