A3T8GF33BBF-GML
Zentel Japan · 封装：FPGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FPGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录A3T8GF33BBF-GML TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T8GF33BBF-GMLI
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 Zentel Japan。A3T8GF33BBF-GMLI TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T8GF43BBF-GML
Zentel Japan · 封装：FPGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。A3T8GF43BBF-GML TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T8GF43BBF-GMLI
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 Zentel Japan。A3T8GF43BBF-GMLI TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3V28S40JTP-60 TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3V28S40JTP-60I TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3V56S30GTP-60 TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3V56S40GTP-60 TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3V56S40GTP-60I TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3V64S40GTP-60 TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3V64S40GTP-60I TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS43QR85120B-083RBLI
ISSI · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS43QR85120B-083RBLI-TR
ISSI · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS43QR8K02S2A-083TBL
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS43QR8K02S2A-083TBL-TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS43QR8K02S2A-083TBLI
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。