A3T1GF40CBF-HP
Zentel Japan · 封装：FPGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录A3T1GF40CBF-HP TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T1GF40CBF-HPI
Zentel Japan · 封装：FPGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。A3T1GF40CBF-HPI TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T2GF30CBF-HP
Zentel Japan · 封装：FPGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FPGA-78 封装。A3T2GF30CBF-HP TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T2GF30CBF-HPI
Zentel Japan · 封装：FPGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FPGA-78 封装。A3T2GF30CBF-HPI TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T2GF30CBF-JR
Zentel Japan · 封装：FPGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FPGA-78 封装。A3T2GF30CBF-JR TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T2GF30CBF-JRI
Zentel Japan · 封装：FPGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FPGA-78 封装。A3T2GF30CBF-JRI TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T2GF30CBF-JRL
Zentel Japan · 封装：FPGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FPGA-78 封装。A3T2GF30CBF-JRL TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T2GF40CBF-HP
Zentel Japan · 封装：FPGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。A3T2GF40CBF-HP TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T2GF40CBF-HPI
Zentel Japan · 封装：FPGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。A3T2GF40CBF-HPI TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3T2GF40CBF-JR
Zentel Japan · 封装：FPGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。A3T2GF40CBF-JR TR
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主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。