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46,309 条型号记录
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MT62F512M64D4EK-031 AIT:B TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 3.2 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压(最大值) 1.05 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR5、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。

MTGAAAA256GD1-AA1CTBYY

Micron

主要参数包括原产国家或地区 SG、湿敏性 是。

W631GG6NB-12

Winbond · 封装:VFBGA-90

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.575 V、电源电压(最大值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-90 封装。

W631GG6NB-15 TR

Winbond · 封装:VFBGA-90

主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.5 V、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、存储组织结构 64 M x 16,采用 VFBGA-90 封装。

W631GG6NB12I

Winbond · 封装:VFBGA-90

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.575 V、电源电压(最大值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-90 封装。

W631GU6NB-12

Winbond · 封装:VFBGA-96

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-96 封装。

W631GU6RB11I

Winbond

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

W632GU6RB-09

Winbond

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

W632GU6RB-11

Winbond

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

W632GU6RB11I

Winbond

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

W634GG6NB-09

Winbond · 封装:VFBGA-96

主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-96 封装。

W634GU6RB-11

Winbond · 封装:VFBGA-96

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-96 封装。

W634GU6RB11I

Winbond · 封装:VFBGA-96

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-96 封装。

W63AH2NBVABE

Winbond · 封装:VFBGA-178

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位,采用 VFBGA-178 封装。

W66AP6NBQAFJ

Winbond · 封装:TFBGA-200

主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4、存储组织结构 64 M x 16,采用 TFBGA-200 封装。

W66BM6NBUAHI

Winbond · 封装:WFBGA-200

主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.06 V、电源电压(最大值) 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位,采用 WFBGA-200 封装。

W66BQ6NBUAFJ

Winbond · 封装:WFBGA-200

主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.06 V、电源电压(最大值) 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位,采用 WFBGA-200 封装。

W66CP6RBHAFJ

Winbond

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

W66CP6RBQAFJ

Winbond

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

W66CQ2NQUAFJ

Winbond · 封装:WFBGA-200

主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.06 V、电源电压(最大值) 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位,采用 WFBGA-200 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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