MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-200 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53E1G32D2FW-046 AAT:C
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E1G32D2FW-046 AIT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E1G32D2FW-046 IT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括存储容量 32 Gbit、存储组织结构 1 G x 32、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 TFBGA-200 封装。MT53E1G32D2NP-046 WT:B
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-200 封装。MT53E256M16D1FW-046 AIT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E256M32D1KS-046 AUT:L
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-200 封装。MT53E256M32D1KS-046 IT:L
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-200 封装。MT53E256M32D1KS-046 IT:L TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。MT53E256M32D2FW-046 IT:B
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 VFBGA-200 封装。MT53E512M32D1NP-046 WT:B
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-200 封装。MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4、原产国家或地区 中国、湿敏性 是，采用 TFBGA-200 封装。MT53E512M32D1ZW-046BWT:B
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E768M16D1ZW-046 AAT:C
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 12 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-200 封装。MT53E768M16D1ZW-046 WT:C
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 12 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-200 封装。MT60B2G8HB-56B:G
Micron · 封装：FBGA-82
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是，采用 FBGA-82 封装。MT61K512M32KPA-16:C
Micron · 封装：TFBGA-180
主要参数包括最大时钟频率 2 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.3095 V、电源电压（最大值） 1.3905 V、类型 SGRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-180 封装。MT62F1G32D2DS-023 WT:C
Micron · 封装：TFBGA-315
主要参数包括最大时钟频率 4.266 GHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 1.01 V、电源电压（最大值） 1.12 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR5、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-315 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。