IM8G16L4JCBG-046
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 600 mV、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IM8G16L4JCBG-046I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 600 mV、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。IM8G32L4HFBG-046I
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IM8G32L4JCBG-046
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 600 mV、电源电压（最大值） 1.8 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。D5116AN9CXGXNY-U
Kingston · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。IS31PM3510-ZLS4-TR
Lumissil
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。MT40A2G8SA-062E IT:F
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A2G8SA-062E:F
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A512M16TB-062E:R
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT41K512M16VRP-107 AAT:P
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT42L16M32D1HE-18 AAT:E
Micron · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。MT42L32M32D1HE-18 AAT:D
Micron · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。MT47H64M16NF-25E AUT:M TR
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT48LC16M16A2B4-7E IT:G
Micron · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR
Micron · 封装：FBGA-178
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32、最小工作温度 - 30 C，采用 FBGA-178 封装。MT53B512M32D2RN-053 WT:E
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1.866 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。MT53E128M16D1DS-053 IT:A
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.866 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 WFBGA-200 封装。MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.866 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 WFBGA-200 封装。MT53E128M32D2DS-053 IT:A
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.866 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-200 封装。MT53E128M32D2FW-046 AAT:A
Micron · 封装：TFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-200 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。