IM4G16L4JFBG-046I
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IM5116D2DDBG-25
Intelligent Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。IM5116D2DDBG-25I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。IM5116SDBBBG-6I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。IM6416SDBABG-6I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。IM6416SDBATG-6I
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。IM6432SDBABG-6I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-90 封装。IM6432SDBATG-6I
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IM8G08D3FFBG-107
Intelligent Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IM8G08D3FFBG-107I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IM8G08D3FFDG-125
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-96 封装。IM8G08D3FFDG-125I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-96 封装。IM8G08D4GBBG-062
Intelligent Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IM8G08D4GBBG-062I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IM8G16D3FFBG-107
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IM8G16D3FFBG-107I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IM8G16D3FFDG-107
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IM8G16D3FFDG-107I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IM8G16D4GBBG-062
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IM8G16D4GBBG-062I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。