APS256XXN-OBR-BG
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 BGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录APS256XXN-OBR-WA
AP Memory · 封装：WLCSP-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 WLCSP-24 封装。IM8G32L4JCBG-046I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 600 mV、电源电压（最大值） 1.8 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。IM8G32L4JFBG-046I
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IMAG16L4JCDG-046
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 570 mV、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。IMAG16L4JCDG-046I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 570 mV、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。IMAG16L4KBBG-046
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IMAG16L4KBBG-046I
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IMAG32L4JCBG-046
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 570 mV、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。IMAG32L4JCBG-046I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 570 mV、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。IMAG32L4KBBG-046
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IMAG32L4KBBG-046I
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IMBG32L4KBBG-046
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IMBG32L4KBBG-046I
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IMBG32L4KBDG-046
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IMBG32L4KBDG-046I
Intelligent Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IME1G08D2DEBG-25I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。IME1G08D3EEBG-15EI
Intelligent Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IME1G16D2DEBG-25I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IM4G16L4JCBG-046I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 600 mV、电源电压（最大值） 1.8 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。