APS6404L-SQH-RA
AP Memory · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 WLCSP-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录APS6404L-SQH-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。APS6404L-SQH-ZR
AP Memory · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 USON-8 封装。APS6404L-SQHXRQ
AP Memory
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。APS6404L-SQN-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。APS6404L-SQN-ZR
AP Memory · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 USON-8 封装。APS6404L-SQRH-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 84 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。APS6404L-SQRH-ZR
AP Memory · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 84 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 USON-8 封装。APS6404L-SQRHX-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 84 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。APS6408L-3OBM-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS6408L-3OBMX-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS6408L-3OC-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS1604M-SQR-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。APS256XXN-OBRX-BG
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 BGA-24 封装。APS1604M-SQR-ZR
AP Memory · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 USON-8 封装。APS1604M-SQRX-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。APS25608N-OBR-BD
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS25608N-OCH-BD
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS256XXN-OB9-BG
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 250 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 BGA-24 封装。APS256XXN-OB9-WA
AP Memory · 封装：WLCSP-24
主要参数包括最大时钟频率 250 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 WLCSP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。