AS4C512M16D3LC-10BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS4C512M16D3LC-10BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D3LC-10BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D3LC-10BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D3LC-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D3LC-12BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D3LC-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D3LC-12BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D4A-62BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D4A-62BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M32MD4V-053BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。AS4C512M8D3LC-10BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D3LC-10BANTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D3LC-12BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D3LC-12BANTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D3LC-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D3LC-12BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D3LC-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M8D3LC-12BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C64M16D1-6TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-II-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 2.7 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-66 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。