AS4C64M32MD1A-5BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-90 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS4C64M32MD4-062BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。AS4C64M8SD-7TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。AS4C64M8SD-7TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。AS4C8M16MSB-6BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。AS4C8M16MSB-6BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。AS4C8M16SB-6TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。AS4C8M16SB-6TINTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。AS4C8M32MSB-6BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-90 封装。AS4C8M32MSB-6BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-90 封装。AS4C32M16SB-7BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。AS4C32M16SB-7BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。AS4C4G8D4-62BCN
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。AS4C4G8D4-62BCNTR
Alliance Memory
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。AS4C4M16SB-6TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。AS4C4M16SB-6TINTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。AS4C4M32S-6BCN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-90 封装。AS4C4M32S-6BCNTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-90 封装。AS4C512M16D3LA-10BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D3LA-10BANTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。