A3R1GE30JBF-8E TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录A3R1GE40JBF-8E
Zentel Japan · 封装：FPGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-84 封装。A3R1GE40JBF-8EA
Zentel Japan · 封装：FPGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-84 封装。A3R1GE40JBF-8EA TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3R1GE40JBF-8EI
Zentel Japan · 封装：FPGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-84 封装。A3R1GE40JBF-8EI TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3R1GE40JBF-AH
Zentel Japan · 封装：FPGA-84
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-84 封装。A3R1GE40JBF-AH TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3S12D40GTP-50
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 2.7 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-66 封装。A3S12D40GTP-50 TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。A3S12D40GTP-50I
Zentel Japan · 封装：TSOP-II-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 2.7 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-66 封装。APS12808L-OBMX-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS12804O-SQRH-WA
AP Memory · 封装：WLCSP-15
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 位，采用 WLCSP-15 封装。APS12808L-3OBM-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS12808L-3OBMX-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS12808L-OBM-BA
AP Memory · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。APS12808O-OBR-WB
AP Memory · 封装：WLCSP-15
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 位，采用 WLCSP-15 封装。APS1604M-SQR-RB
AP Memory · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 144 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 WLCSP-8 封装。APS128XXN-OBRA-WA
AP Memory · 封装：WLCSP-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.62 V、电源电压（最大值） 1.98 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 8 bit / 16 bit，采用 WLCSP-24 封装。APS1604M-3SQR-SN
AP Memory · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz/84 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 PSRAM (Pseudo SRAM)、数据总线宽度 4 bit / 1 bit，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。