S70KS1282GABHB020
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录S27KS0642GABHI030
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。S80KS2563GABHV020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。S80KS2564GACHV040
Infineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 TH、湿敏性 是。S27KL0642DPBHB023
Infineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。S27KL0642DPBHI023
Infineon Technologies
主要参数包括组装国家或地区 TH、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。S27KS0643GABHV020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。S80KS5122GABHM020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 FBGA-24 封装。S80KS5123GABHM020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括原产国家或地区 TH、湿敏性 是、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HYPERRAM，采用 FBGA-24 封装。S80KS5123GABHI020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、访问时间 35 ns，采用 FBGA-24 封装。S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。S27KL0642DPBHI020
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位。S27KS0642GABHI023
Infineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 TH、湿敏性 是。S70KS1282GABHV020
Infineon Technologies
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位。S80KS5122GABHI020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。S80KS5123GABHV020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。S80KS2563GABHI020
Infineon Technologies · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、访问时间 35 ns，采用 FBGA-24 封装。S27KL0642GABHB020
Infineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。S70KL1282DPBHB020
Infineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。