IS43TR81280CL-125JBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43TR81280CL-125JBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。IS43TR82560D-125KBL
ISSI
主要参数包括访问时间 20 ns、原产国家或地区 中国、湿敏性 是。IS43TR82560D-125KBL-TR
ISSI
主要参数包括访问时间 20 ns。IS43TR85120BL-125KBL
ISSI
DRAMIS43TR85120BL-125KBL-TR
ISSI
DRAMIS45S16160L-6BLA1
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 BGA-54 封装。IS45S16160L-6BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 BGA-54 封装。IS45S16160L-6TLA1
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 TSOP-II-54 封装。IS45S16160L-6TLA1 -TR
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 TSOP-II-54 封装。IS45S16160L-7BLA1
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 BGA-54 封装。IS45S16160L-7BLA2
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 BGA-54 封装。IS45S16160L-7BLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 BGA-54 封装。IS45S16160L-7TLA1
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 TSOP-II-54 封装。IS45S16160L-7TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 TSOP-II-54 封装。IS45S16160L-7TLA2
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 TSOP-II-54 封装。IS45S16160L-7TLA2-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit，采用 TSOP-II-54 封装。IS45S16400N-6BLA1
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-54 封装。IS45S16400N-6BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-54 封装。IS45S16400N-6BLA2
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。