ChipSourceHub 美芯科技

存储器

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

46,309 条型号记录
每页 20 条

IS43TR16640CL-125JBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16K01S2A-125KBL

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16K01S2A-125KBL-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16K01S2AL-125KBL

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16K01S2AL-125KBL-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16K01S2AL-125KBLI

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16K01S2AL-125KBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16K01S2L-125KBLI

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16,采用 BGA-96 封装。

IS43TR16K01S2L-125KBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16,采用 BGA-96 封装。

IS43TR81024B-107MBL

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81024B-107MBL-TR

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81024B-107MBLI

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81024B-107MBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81024BL-107MBL

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81024BL-107MBL-TR

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81280CL-107MBL-TR

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81280CL-107MBLI

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81280CL-107MBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81280CL-125JBL

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

IS43TR81280CL-125JBL-TR

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技