IS43TR16640CL-125JBLI-TR
ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16,采用 BGA-96 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。ISSI · 封装:BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。