IS43QR85120B-075UBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43QR85120B-075UBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR85120B-083RBL
ISSI · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS43QR85120B-083RBL-TR
ISSI · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS43TR16512S2DL-107MBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16512S2DL-107MBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16512S2DL-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16512S2DL-125KBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16512S2DL-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16512S2DL-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16512S2DL-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640C-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640C-107MBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640C-125JBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640CL-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640CL-107MBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640CL-125JBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640CL-125JBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16640CL-125JBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。