IS43QR16256B-083RBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43QR16256B-083RBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-96 封装。IS43QR16512A-075VBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 BGA-96 封装。IS43QR16512A-075VBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43QR16512A-075VBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 BGA-96 封装。IS43QR16512A-075VBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43QR16512A-083TBL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位。IS43QR16512A-083TBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43QR16512A-083TBLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.2 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位。IS43QR16512A-083TBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43QR81024A-075VBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR81024A-075VBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR81024A-075VBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR81024A-075VBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR81024A-083TBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR81024A-083TBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR81024A-083TBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR81024A-083TBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR85120B-075UBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43QR85120B-075UBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。