MT48LC2M32B2B5-6A IT:J TR
Micron · 封装:VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 VFBGA-90 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Micron · 封装:VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 VFBGA-90 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。Alliance Memory · 封装:FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 32 位,采用 FBGA-144 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。Micron · 封装:VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位,采用 VFBGA-90 封装。ISSI · 封装:TSOP-50-44
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 FPM DRAM、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 M x 16,采用 TSOP-50-44 封装。Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位,采用 FBGA-24 封装。Alliance Memory · 封装:FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 32 位,采用 FBGA-144 封装。ISSI · 封装:BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-60 封装。ISSI · 封装:BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是,采用 BGA-60 封装。ISSI · 封装:BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-60 封装。ISSI · 封装:BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-60 封装。ISSI · 封装:BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是,采用 BGA-84 封装。Alliance Memory · 封装:TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 4 位,采用 TSOP-54 封装。Alliance Memory · 封装:FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 32 位,采用 FBGA-144 封装。ISSI · 封装:TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是,采用 TSOP-66 封装。ISSI · 封装:TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是,采用 TSOP-66 封装。Alliance Memory · 封装:FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 32 位,采用 FBGA-144 封装。ISSI · 封装:TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是,采用 TSOP-66 封装。Alliance Memory · 封装:TSOPII-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位,采用 TSOPII-66 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。