IS43LQ16128AL-062BLI
ISSI · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43LQ16128AL-062BLI-TR
ISSI · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-200 封装。IS43LQ16128AL-062TBLI
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 570 mV、电源电压（最大值） 650 mV、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16128AL-062TBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 570 mV、电源电压（最大值） 650 mV、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16256A-062BLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 16 位。IS43LQ16256A-062BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16256AL-062TBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、电源电压（最小值） 570 mV、电源电压（最大值） 650 mV、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16256B-053BLI
ISSI · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.866 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V、电源电压（最大值） 1.17 V、类型 SDRAM - LPDDR4、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-200 封装。IS43LQ16256B-053BLI-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IS43LQ16256B-062BLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。IS43LQ16256B-062BLI-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IS43LQ16256BL-053BLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IS43LQ16256BL-053BLI-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IS43LQ16256BL-062BLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IS43LQ16256BL-062BLI-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。IS43LQ16512A-053BLI
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.866 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V, 1.7 V、电源电压（最大值） 1.17 V, 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16512A-053BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.866 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V, 1.7 V、电源电压（最大值） 1.17 V, 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16512A-062BLI
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V, 1.7 V、电源电压（最大值） 1.17 V, 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16512A-062BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.06 V, 1.7 V、电源电压（最大值） 1.17 V, 1.95 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-200 封装。IS43LQ16512B-046BLI
ISSI · 封装：BGA-299
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、类型 SDRAM - LPDDR4、存储组织结构 512 M x 16，采用 BGA-299 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。