IS42S32800L-7TL
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42S32800L-7TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS42S32800L-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS42S32800L-7TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-II-86 封装。IS42S83200L-6TL
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IS42S83200L-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IS42S83200L-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IS42S83200L-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IS42S83200L-7TL
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IS42S83200L-7TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IS42S83200L-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IS42S83200L-7TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IS43DR81280D-25DBLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gb、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 4 位，采用 BGA-60 封装。IS43DR81280D-25DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gb、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 4 位，采用 BGA-60 封装。IS43LD16128C-18BLI
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-134 封装。IS43LD16128C-18BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-134 封装。IS43LD16128C-25BLI
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-134 封装。IS43LD16128C-25BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 BGA-134 封装。IS43LD16256C-18BLI
ISSI · 封装：TFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V, 1.7 V、电源电压（最大值） 1.3 V, 1.95 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-134 封装。IS43LD16256C-18BLI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.14 V, 1.7 V、电源电压（最大值） 1.3 V, 1.95 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-134 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。