IS42S16800J-6TL
ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 TSOP-II-54 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 TSOP-II-54 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 TSOP-II-54 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 TSOP-II-54 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 TSOP-II-54 封装。ISSI · 封装:BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 BGA-54 封装。ISSI · 封装:BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 BGA-54 封装。ISSI · 封装:BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 BGA-54 封装。ISSI · 封装:BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 BGA-54 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 TSOP-II-54 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 TSOP-II-54 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 TSOP-II-54 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 bit/16 bit,采用 TSOP-II-54 封装。ISSI · 封装:BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 BGA-90 封装。ISSI · 封装:BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 BGA-90 封装。ISSI · 封装:BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 BGA-90 封装。ISSI · 封装:BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 BGA-90 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TSOP-II-86 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TSOP-II-86 封装。ISSI · 封装:BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 BGA-90 封装。ISSI · 封装:TSOP-II-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TSOP-II-86 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。