AS4C8M16SA-7BCN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42S16160G-7BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS42S16400J-7B2LI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-60 封装。IS42S16160J-6TL
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.019083 oz，采用 TSOP-54 封装。IS43R16160D-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS42S16160J-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.019083 oz，采用 TSOP-54 封装。AS4C8M16SA-6TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS42S16400J-5TL
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。AS4C2M32SA-6TCN
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。EDB2432B4MA-1DIT-F-R
Micron · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。IS42S16800F-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 64 位，采用 FBGA-216 封装。EDB2432B4MA-1DAAT-F-R
Micron · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。MT46V32M16P-5B XIT:J TR
Micron · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。EDB1332BDBH-1DAAT-F-R
Micron · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。MT41K128M16JT-125 XIT:K TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。