MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、湿敏性 是。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录IS43TR82560D-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-78 封装。MT53E128M16D1DS-053 WT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、湿敏性 是。IS43TR82560DL-107MBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-78 封装。IS43TR82560D-107MBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-78 封装。IS42SM16200D-75BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-54 封装。MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、湿敏性 是。IS43TR16256BL-125KBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-96 封装。AS4C32M16MSA-6BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。IS43TR16512BL-107MBL
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT41K256M16TW-107 AIT:P
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括湿敏性 是，采用 FBGA-96 封装。IS43TR16128D-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。MT41K256M16TW-107 IT:P
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括湿敏性 是，采用 FBGA-96 封装。IS43TR16128DL-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.022928 oz，采用 FBGA-78 封装。MT47H32M16NF-25E:H
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT47H128M8SH-25E IT:M
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。AS4C128M16MD2A-25BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IS43TR16128DL-125KBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。AS4C128M32MD2A-18BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。