IM1216SDBATG-6I
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IM1232SDBATG-6I
Intelligent Memory · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IM1G16D2DDBG-25
Intelligent Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IM1G16D2DDBG-25I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IM24G32L4JCBG-046
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最小值） 600 mV、电源电压（最大值） 1.8 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。IM24G32L4JCBG-046I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2.133 GHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最小值） 600 mV、电源电压（最大值） 1.8 V、类型 SDRAM - LPDDR4X、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-200 封装。IM2508SDBBTG-6
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-II-54 封装。IM2516SDBATG-6I
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。IM2516SDBATG-6IA
Intelligent Memory · 封装：TSOP-II-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-II-54 封装。IM2516SDBDBG-6
Intelligent Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。IM2516SDBDBG-6I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。IM4G08D3FDBG-107I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-60 封装。IM2G08D2DBBG-25
Intelligent Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。IM2G08D2DBBG-25I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。IM2G16D2DBBG-25
Intelligent Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IM2G16D2DBBG-25I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IM2G16D3FDBG-125
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IM2G16D3FDBG-125I
Intelligent Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IM4G08D3FDBG-107
Intelligent Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。