MT53E384M64D4NK-046 WT ES:E TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53E512M64D4NK-046 WT ES:D
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT53E384M64D4NK-053 WT:E
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。MT53E384M64D4NK-046 WT ES:E
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。MT53E384M64D4NK-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。MT40A2G8VA-062E IT:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 2 G x 8、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A8G4BAF-062E:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 8 G x 4、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A16G4WPF-062H:B
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 16 G x 4、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A4G8BAF-062E:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 4 G x 8、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A8G4CLU-062H:E
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 8 G x 4、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A8G4CLU-075H:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 8 G x 4、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A8G4CLU-062H:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 8 G x 4、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A8G4VNE-062H:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 8 G x 4、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A2G16SKL-062E:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 2 G x 16、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A16G4WPF-062H:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 16 G x 4、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。IS43TR82560B-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。W632GG8MB12I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W632GG6MB15I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。IS43TR82560B-15HBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。W632GU8MB-11 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。