IS49NLC36800-33BI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS41LV16257C-35TLI
ISSI · 封装：TSOP-40
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 FPM DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-40 封装。IS49NLS18160-33B
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。IS49NLC96400-25B
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLC36160-25BI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。AS4C512M16D3LA-12BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C1G8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS43QR16256A-083RBLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM - DDR4、湿敏性 是。AS4C1G8D3LA-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS41C16256C-35TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-40
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、类型 EDO DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-40 封装。EMD3D256M16G2-150CBS1
Everspin Technologies · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。AS4C1G8D3LA-12BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。W9812G6KH-5 TR
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT40A256M16LY-062E:F
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C。MT40A512M16LY-062E AT:E
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C。MT40A512M16Z11BWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C，采用 Die 封装。MT40A2G4Z11BWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 2 G x 4、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C，采用 Die 封装。MT40A1G8Z11BWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C，采用 Die 封装。MT40A2G4Z01AWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 2 G x 4、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。