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MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。

MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR

Micron · 封装:POP-366

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64,采用 POP-366 封装。

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。

MT53E384M32D2DS-046 AAT ES:E

Micron

主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。

MT53E384M32D2DS-053 AAT ES:E

Micron

主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。

MT53E256M32D2DS-046 AAT ES:B TR

Micron

主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。

MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E

Micron

主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。

MT53E256M32D2DS-053 AAT ES:B TR

Micron

主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。

MT53E256M32D2DS-046 AAT ES:B

Micron

主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。

MT53E256M32D2DS-053 AAT ES:B

Micron

主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。

MT53E128M32D2DS-053 AAT ES:A TR

Micron

主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。

MT53E128M32D2DS-046 AAT ES:A TR

Micron

主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。

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