MT49H8M36SJ-25:B TR
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 FBGA-144 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42S16400J-7TL
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。MT47H256M8EB-25E:C TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS42S32400F-7BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。MT46V32M16CY-5B IT:J TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。MT47H64M16NF-25E IT:M TR
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。W948D6KBHX5I
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W631GU6MB-12
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。GS4576C09GM-25I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 LLDRAM II、存储组织结构 64 M x 9，采用 FBGA 封装。GS4288C36GL-24I
GSI Technology · 封装：uBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 36 位，采用 uBGA-144 封装。W631GG6MB-12
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。S27KS0641DPBHV020
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。GS4288C36GL-25I
GSI Technology · 封装：uBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 36 位，采用 uBGA-144 封装。MT49H16M18SJ-25:B TR
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 FBGA-144 封装。AS4C16M16SA-6BIN
Alliance Memory · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM、存储组织结构 16 M x 16、湿敏性 是，采用 BGA-54 封装。S70KS1281DPBHV020
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。W631GG6MB12I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。AS4C32M16D1-5BIN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-60 封装。GS4576C18GM-25
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 32 M x 18、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。